Abstrato

Condutividade térmica de filmes finos de silício depositados em alumina porosa por PECVD

Ktifa S e Ezzaouia H

Neste artigo, estudamos as propriedades térmicas de filmes finos de silício depositados por deposição química de vapor por aprimoramento de plasma (PECVD) em alumínio poroso usando a técnica de deflexão fototérmica (PTD). O objetivo deste trabalho é investigar a influência da corrente de anodização (entre 200 a 400 mV) na condutividade térmica de amostras. Apresentamos um modelo computacional para determinar a condutividade térmica K. As coincidências entre as curvas experimentais e teóricas permitem deduzir os valores de condutividade térmica com boa precisão. De fato, foi descoberto que K diminui com a corrente de anodização.