Abstrato

Mobilidade de elétrons de estado de superfície em filmes de hélio líquido em geometria microestruturada

Mohamed AG Ashari

O presente artigo discute os estudos de elétrons de estado de superfície (SSE) em filmes de hélio líquido em geometria confinada usando estruturas de substrato adequadas, microfabricadas em uma pastilha de silício que se assemelha a Transistores de Efeito de Campo (chamados de FET de Hélio). A amostra tem regiões de Fonte e Dreno, separadas por uma estrutura de Porta, que consiste em 2 eletrodos de ouro com uma lacuna estreita (canal) através da qual ocorre o transporte de elétrons. Após desenvolver um novo modelo de número de elétrons salvos em função da barreira de porta, fica mais fácil estudar a mobilidade de SSE. Os resultados experimentais mostram uma concordância razoável com a literatura.