Abstrato

Efeitos do cristal misto ternário e da espessura da camada nas características de saída IV de MOSHEMTs de Al 2 O 3 /AlGaN/GaN

Zhou XJ, Xing Y, Gu Z e Meng GQQG*

As tensões limite e as correntes de saída nos MOSHEMTs Al ₂ O ₃ /AlGaN/GaN são calculadas pelo modelo de controlo de carga sob a aproximação de esgotamento total tendo em conta as cargas fixas na interface Al ₂ O ₃ /AlGaN e a polarização em cada camada. Os resultados demonstram que as tensões limiares oscilam negativamente à medida que a componente Al no AlGaN e a espessura de cada camada aumentam. Verificou-se também que o aumento da componente Al e da espessura da camada Al2O3 _{resulta num} aumento significativo da corrente, enquanto o aumento da espessura da barreira AlGaN tem apenas um impacto menor. Estes resultados implicam que o desempenho dos dispositivos MOSHEMT pode ser melhorado pelo cristal misto ternário e pelos efeitos de tamanho.