Pesquisas e Revisões

Pesquisa e Resenhas: Journal of Pure and Applied Physics

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Abstrato

Caracterização Eletromagnética do Dispositivo do Transistor GaAs MESFET

Amri Houda e Zaabat Mourad

Neste artigo é apresentado um estudo eletromagnético do transístor MESFET baseado no método iterativo. Este método gera a relação entre as ondas incidentes e refletidas dos circuitos planares. O método WCIP é desenvolvido a partir do algoritmo de transformação modal rápida

Isenção de responsabilidade: Este resumo foi traduzido usando ferramentas de inteligência artificial e ainda não foi revisado ou verificado

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