Mehdi Othman, Khalifa Aguir * , Najeh Mliki e Philippe Menini
Propomos um modelo para a resposta dinâmica de sensores de gás que enfatiza as propriedades de condução de semicondutores do tipo n. Este modelo fornece uma descrição físico-química dos mecanismos de deteção de gases, focando o comportamento extrínseco do sensor na presença de gás redutor. A modelação teórica da resistência do sensor em relação aos resultados experimentais foi feita para otimizar o desempenho do sensor e também para melhor compreender os mecanismos de deteção de gás. Este modelo aplica-se especialmente no caso de exposição a baixas concentrações de gases.