Pesquisas e Revisões

Jornal Internacional de Pesquisa Avançada em Engenharia Elétrica, Eletrônica e Instrumentação

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Abstrato

Study of Influence of Channel Length Variation in Nano Range on Power and Delay of 3T DRAM Cell

Saradindu Panda, B.Maji, Dr.A.K.Mukhopadhyay

This paper describes the design issues of DRAM, simulation of 3T DRAM cell, and measurement of its power and delay, for various channel length. Varying the parameters such as channel length, we observe different results being reflected in its power and delay which is described in this paper. Waveforms are plotted as per our observations.

Isenção de responsabilidade: Este resumo foi traduzido usando ferramentas de inteligência artificial e ainda não foi revisado ou verificado

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